型号: | BT168D |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications(应用于RCD/ GFI/ LCCB的可控硅逻辑电平) |
中文描述: | 0.8 A, 400 V, SCR, TO-92 |
封装: | PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 43K |
代理商: | BT168D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BT168 | Film Capacitor; Voltage Rating:600VDC; Capacitor Dielectric Material:Polyester; Capacitance:0.1uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:24.613mm; Series:PS; Size:30.48 x 16.51; Termination:Radial Leaded |
BT169E | Thyristors logic level(可控硅逻辑电平) |
BT169GW | Thyristors logic level(可控硅逻辑电平) |
BT169 | Thyristor logic level |
BT169BW | Thyristor logic level |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BT168DW | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications |
BT168E | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
BT168E,112 | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
BT168EW | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications |
BT168G | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |