参数资料
型号: BT168D
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 晶闸管
英文描述: Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications(应用于RCD/ GFI/ LCCB的可控硅逻辑电平)
中文描述: 0.8 A, 400 V, SCR, TO-92
封装: PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 43K
代理商: BT168D
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
logic level for RCD/ GFI/ LCCB Applications
BT168 series
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.2 g
Fig.13. TO92; plastic envelope.
Notes
1. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
0.48
0.40
0.40
min
12.7 min
5.2 max
4.8 max
4.2 max
2.5 max
1.6
2.54
0.66
0.56
1
2
3
September 1997
5
Rev 1.100
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PDF描述
BT168 Film Capacitor; Voltage Rating:600VDC; Capacitor Dielectric Material:Polyester; Capacitance:0.1uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:24.613mm; Series:PS; Size:30.48 x 16.51; Termination:Radial Leaded
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相关代理商/技术参数
参数描述
BT168DW 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications
BT168E 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
BT168E,112 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
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BT168G 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube