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参数资料
| 型号： | BT169EW |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | Thyristor logic level |
| 中文描述： | 1 A, 500 V, SCR |
| 封装： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | BT169EW |
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristor
logic level
BT169W Series
Fig.7. Normalised gate trigger current
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
Fig.8. Normalised latching current I
L
(T
)/ I
(25C),
versus junction temperature T
j
, R
GK
= 1 k
.
Fig.9. Normalised holding current I
H
(T
)/ I
(25C),
versus junction temperature T
j
, R
GK
= 1 k
.
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
Fig.11. Transient thermal impedance Z
th j-sp
, versus
pulse width t
p
.
Fig.12. Typical, critical rate of rise of off-state voltage,
dV
D
/dt versus junction temperature T
j
.
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
IGT(Tj)
IGT(25 C)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
2
3
4
5
BT169W
VT / V
IT / A
Vo = 1.0 V
typ
max
Tj = 125 C
Tj = 25 C
-50
0
50
Tj / C
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
IL(Tj)
IL(25 C)
10us
0.1ms
1ms
10ms
tp / s
0.1s
1s
10s
0.01
0.1
1
10
Zth j-sp (K/W)
100
tp
P
D
t
BT169W
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
Tj / C
IH(Tj)
IH(25 C)
0
50
100
150
1
10
100
1000
Tj / C
dVD/dt (V/us)
RGK = 1 kohms
September 1997
4
Rev 1.200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT169W | Thyristor logic level |
| BT169_SERIES | Thyristors logic level |
| BT169SERIES | Thyristors logic level |
| BT169WSERIES | Thyristors logic level |
| BT169 | SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT169G | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 0.8A 600V TO-92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 0.8A, 600V, TO-92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor,BT169G 0.8A 600V |
| BT169G AMO | 功能描述:SCR AMMORA SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT169G,112 | 功能描述:SCR .8A 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT169G,126 | 功能描述:SCR AMMORA SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT169G | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 0.8A 600V TO-92 |
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