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参数资料
| 型号： | BT258 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Thyristors logic level |
| 中文描述： | 晶闸管逻辑电平 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | BT258 |
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
logic level
BT258 series
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
, versus
average on-state current, I
T(AV)
, where
a = form factor = I
T(RMS)
T(AV)
.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus pulse width t
p
, for
sinusoidal currents, t
p
≤
10ms.
Fig.3. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
Fig.4. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
mb
≤
111C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
0
2
4
6
0
2
4
6
8
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
IT(AV) (A)
Ptot (W)
Tmb(max) (C)
125
123
121
119
117
115
113
111
109
30
4
conduction
60
90
120
180
2.8
2.2
1.9
1.57
form
1
10
100
1000
0
40
Number of half cycles at 50Hz
ITSM / A
10
20
30
50
60
70
80
T
ITSM
time
I
T
Tj initial = 25 C max
10
10us
100
1000
100us
1ms
10ms
T / s
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
dI /dt limit
0.01
0.1
1
10
0
4
8
12
16
20
24
surge duration / s
IT(RMS) / A
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
BT258
Tmb / C
IT(RMS) / A
111 C
-50
0
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T50
VGT(Tj)
VGT(25 C)
October 2002
3
Rev 2.000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT258B | Thyristors logic level |
| BT258B-500R | Thyristors logic level |
| BT258B-600R | Thyristors logic level |
| BT258B-800R | Thyristors logic level |
| BT258USERIES | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BT258_SERIES | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Thyristors logic level |
| BT258-500R | 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT258-500R,127 | 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT258-600R | 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| BT258-600R,127 | 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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