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参数资料
| 型号： | BTA208--800B |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 可控硅| 800V的五（DRM）的| 8A条口（T）的有效值| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BTA208--800B |
DATA SHEET
Product specification
December 1998
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BTA204S series D, E and F
BTA204M series D, E and F
Three quadrant triacs guaranteed
commutation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTA208-800E | TRIAC|800V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220AB |
| BTA208B-500B | TRIAC|500V V(DRM)|8A I(T)RMS|SOT-404 |
| BTA208BSERIESC | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTA208BSERIESD.EANDF | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTA208BSERIESDEANDF | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BTA208-800B,127 | 功能描述:双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BTA208-800B/DG,127 | 功能描述:双向可控硅 3Q HI-COM TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BTA208-800B/L01 | 功能描述:双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| BTA208-800B/L01,12 | 功能描述:双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| bta208-800b127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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