| 型号: | BU52012HFV-TR |
| 厂商: | Rohm Semiconductor |
| 文件页数: | 1/22页 |
| 文件大小: | 505K |
| 描述: | IC HALL EFFECT SW MONO HVSOF5 |
| 特色产品: | ROHM Hall Effect Sensor ICs |
| 标准包装: | 1 |
| 传感范围: | 5mT 跳闸,0.6mT 释放 |
| 类型: | 单极开关 |
| 电源电压: | 1.65 V ~ 3.3 V |
| 电流 - 电源: | 5.5µA |
| 电流 - 输出(最大): | ±0.5mA |
| 输出类型: | 数字,开路集电极 |
| 特点: | 稳压电压 |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳: | SOT-665 |
| 供应商设备封装: | 5-HVSOF |
| 包装: | 标准包装 |
| 其它名称: | BU52012HFV-DKR BU52012HFV-DKR-ND BU52012HFVDKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BU52012HFV-TR-CUT TAPE | 制造商:ROHM 功能描述:Ultra Small 1.8 V 3.5 uA Surface Mount Unipolar Detection Hall IC - HVSOF-5 |
| BU52012NVX | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Hall effect Switch |
| BU52012NVX-TR | 功能描述:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Hall Effect Sensor 0.5mA Unipolar 1.8V RoHS:否 制造商:Honeywell 类型:Bipolar Hall-Effect Digital Position Sensor 工作电源电压:3 V to 24 V 电源电流:3.5 mA 最大输出电流:20 mA 工作点最小值/最大值:5 G, 55 G 最小/最大释放点(Brp):- 55 G, - 5 G 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 |
| BU52013HFV | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Unipolar Detection Hall ICs |
| BU52013HFV-TR | 功能描述:工业霍耳效应/磁性传感器 MONO DETECTION SENSOR; 1.65-3.3V RoHS:否 制造商:Honeywell 操作类型: 操作高斯: 工作电源电压: 电流额定值: 封装 / 箱体: 输出下降时间: 工作点最小值/最大值: 安装风格: 最大工作温度: 最小工作温度: 最大输出电流: 封装: |