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参数资料
| 型号： | BU52021HFV-TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 26/34页 |
| 文件大小： | 678K |
| 描述： | IC HALL EFFECT SW BIPO HVSOF5 |
| 标准包装： | 1 |
| 传感范围： | ±5.5mT 跳闸，±0.8mT 释放 |
| 类型： | 全极开关 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 电源： | 12µA |
| 电流 - 输出（最大）： | ±1mA |
| 输出类型： | 数字，开路集电极 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | SOT-665 |
| 供应商设备封装： | 5-HVSOF |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BU52021HFV-DKR BU52021HFV-DKR-ND BU52021HFVDKR |
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Technical Note
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52053NVX,
BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
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www.rohm.com
2011.12 - Rev.G
?2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
螾osition of the Hall Effect IC(Reference)
螰ootprint dimensions (Optimize footprint dimensions to the board design and soldering condition)
UCSP35L1
VCSP50L1
SSON004X1216
HVSOF5
SSOP5
(UNIT:mm)
0.6
0.8
0.2
SSON004X1216
VCSP50L1
HVSOF5
SSOP5
0.8
0.6
1.45
0.6
0.8
0.2
0.55
0.55
0.35
0.40
0.40
0.25
UCSP35L1
(UNIT:mm)
Please avoid having potential overstress
from PCB material, strength, mounting
positions.
If you had any further questions or
concerns, please contact your Rohm
sales and affiliate.
e
SD
b3
0.40
?.20
Reference
Value
e
b3
Symbol
SD
0.20
SE
0.20
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BU52025G-TR | 功能描述:板机接口霍耳效应/磁性传感器 2.4-3.6V; +/-3.7mT Bipolar Detection RoHS:否 制造商:Honeywell 类型:Bipolar Hall-Effect Digital Position Sensor 工作电源电压:3 V to 24 V 电源电流:3.5 mA 最大输出电流:20 mA 工作点最小值/最大值:5 G, 55 G 最小/最大释放点（Brp）:- 55 G, - 5 G 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 |
| BU52025G-TR-CUT TAPE | 制造商:ROHM 功能描述:Silicon Monolithic Integrated Circuit, Hall Effet Switch |
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| BU52040HFV | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Hole IC,Bop=+/-3.0mT,CMOSout,HVSOF5 |
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