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参数资料
| 型号： | BUK436-200B |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | POWERLINE: RP20-S_DEW - 4:1 Wide Input Voltage Range- 20 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- Ul 1950 Component Recognised- Standard 50.8 x40.6x10.2mm Package- Efficiency to 84% |
| 中文描述： | 17 A, 200 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | BUK436-200B |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK436W-200A/B
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 19 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
10
20
30
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =40
160
BUK456-200
0
1
2
BUK456-200A
VSDS / V
IF / A
40
30
20
10
0
Tj / C = 150
25
July 1997
5
Rev 1.000
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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