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参数资料
| 型号： | BUK7909-75AIE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220VAR |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 70V的五（巴西）直| 75A条（丁）|对220VAR |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BUK7909-75AIE |
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
13 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
7.
Soldering
Dimensions in mm.
Fig 20. Reow soldering footprint for SOT426.
handbook, full pagewidth
MSD058
solder lands
solder resist
occupied area
solder paste
10.50
7.40
7.50
1.50
1.70
10.60
8.15
0.90
1.00
1.70
(2
×)
3.40
10.85
0.30
2.15
8.35
2.25
4.60
0.20
3.00
4.85
7.95
8.15
8.075
8.275
5.40
1.50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK7909-75AIE,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7909-75ATE | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7909-75ATE,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK793-60A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-263 |
| BUK794R1-40BT | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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