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参数资料
| 型号： | BUK793-60A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-263 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 20A条（丁）|的SOT - 263 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | BUK793-60A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK795-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | SOT-263 |
| BUK9107-40ATC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
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| BUK9509-75A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK794R1-40BT | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK794R1-40BT,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK795-60A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | SOT-263 |
| BUK7C06-40AITE | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchPLUS standard level FET |
| BUK7C06-40AITE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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