型号: | BUV20D |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 2/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BUV20D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BUV21 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40A 200V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BUV21/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
BUV21_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
BUV21G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40A 200V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BUV21N | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |