参数资料
型号: BY229X-600,127
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/7页
文件大小: 48K
描述: DIODE RECT 200V 8A SOD113
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 500V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.85V @ 20A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 135ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 400µA @ 500V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 全封装,隔离接片
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
其它名称: 934038020127
BY229X-600
BY229X-600-ND
Philips Semiconductors Product specification
Rectifier diodes BY229F, BY229X series
fast, soft-recovery
Fig.1. Definition of trr, Qs
and I
rrm
Fig.2. Maximum forward dissipation, PF
= f(I
F(AV));
square wave current waveform; parameter D = duty
cycle = tp/T.
Fig.3. Maximum forward dissipation, PF
= f(I
F(AV));
sinusoidal current waveform; parameter a = form
factor = IF(RMS)/IF(AV).
Fig.4. Maximum non-repetitive rms forward current.
IF
= f(t
p);
sinusoidal current waveform; Tj
= 150?C prior
to surge with reapplied VRWM.
Fig.5. Typical and maximum forward characteristic;
IF
= f(V
F); parameter Tj
Fig.6. Maximum Qs
at T
j = 25?C and 150?C
100%
time
dI
F
dt
IR
I
F
Irrm
trr
25%
Qs
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
tp / s
IFS(RMS) / A80
BY229
70
60
50
40
30
20
10
0
IFSM
0
1
BY229F
VF / V
IF / A30
20
10
0
2
0.5
1.5
max
typ
Tj = 150 C
Tj = 25 C
0
0
2
4
6
8
10
12
BY329
IF(AV) / A
20
PF / W
15
10
5
Ths(max) / C
150
54
78
102
126
0.5
0.2
0.1
D = 1.0
D =
tp
T
tp
T
I
t
Vo = 1.25 V
Rs = 0.03 Ohms
1
100
BY329
-dIF/dt (A/us)
10
Qs / uC
Tj = 150 C
1
0.1
10
2 A
IF = 10 A
10 A
1 A
1 A
2 A
Tj = 25 C
0
0
2
4
6
150
8
BY329
IF(AV) / A
15
PF / W
10
5
4
2.8
2.2
1.9
a = 1.57
Ths(max) / C78
102
126
Vo = 1.25 V
Rs = 0.03 Ohms
September 1998 3 Rev 1.200
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