参数资料
型号: BY329-1000,127
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 2/6页
文件大小: 42K
描述: DIODE RECT 1000V 8A TO-220AC
标准包装: 5,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.85V @ 20A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 135ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1mA @ 800V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
其它名称: 933703400127
Philips Semiconductors Product specification
Rectifier diodes BY329 series
fast, soft-recovery
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
Rth j-mb
Thermal resistance junction to - - 2.0 K/W
mounting base
Thermal resistance junction to in free air. - 60 - K/W
ambient
Rth j-a
STATIC CHARACTERISTICS
Tj
= 25 ?C unless otherwise stated
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
V
I
F
R
Forward voltage IF
= 20 A - 1.5 1.85 V
Reverse current VR
= V
RWM; Tj
= 125 ?C - 0.1 1.0 mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tj
= 25 ?C unless otherwise stated
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
t
Qrr
dIsR/dt Maximum slope of the reverse IF
= 2 A; -dI
F/dt = 20 A/μs - 50 60 A/μs
recovery current
Reverse recovery time IF
= 1 A; V
R
> 30 V; -dI
F/dt = 50 A/μs - 100 135 ns
Reverse recovery charge IF
= 2 A; V
R
> 30 V; -dI
F/dt = 20 A/μs - 0.5 0.7
μC
September 1998 2 Rev 1.200
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PDF描述
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参数描述
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