参数资料
型号: BY359X-1500S,127
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 2/5页
文件大小: 35K
描述: DIODE RECT 1500V 60A TO-220F
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1500V(1.5kV)
电流 - 平均整流 (Io): 7A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2V @ 20A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 350ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 1300V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 全封装,隔离接片
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
其它名称: 934052960127
BY359X-1500S
BY359X-1500S-ND
Philips Semiconductors Product specification
Damper diode BY359X-1500, BY359X-1500S
fast, high-voltage
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
Rth j-hs
Thermal resistance junction to with heatsink compound - - 4.8 K/W
heatsink without heatsink compound - - 5.9 K/W
Thermal resistance junction to in free air. - 55 - K/W
ambient
Rth j-a
STATIC CHARACTERISTICS
Tj
= 25 ?C unless otherwise stated
BY359X-1500 BY359X-1500S
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. TYP. MAX. UNIT
VF
Forward voltage IF
= 20 A 1.3 1.8 1.5 2.0 V
IF
= 10 A; T
j
= 150?C 1.00 1.5 1.25 1.75 V
Reverse current VR
= 1300 V 10 100 10 100
μA
VR
= 1300 V; 50 300 100 600
μA
Tj
= 100 ?C
IR
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tj
= 25 ?C unless otherwise stated
BY359X-1500 BY359X-1500S
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. TYP. MAX. UNIT
t
Qrrs
Reverse recovery time IF
= 2 A; V
R
30 V; 0.47 0.60 0.28 0.35
Reverse recovery charge -dIF/dt = 20 A/μs 1.6 2.0 0.70 0.95
μs
μC
Vfr
Peak forward recovery voltage IF
= 10 A; 11.0 - 17.0 - V
dIF/dt = 30 A/μs
Fig.1. Definition of trr, Qs
and I
rrm
Fig.2. Definition of Vfr
100%
time
dI
F
dt
IR
I
F
Irrm
trr
25%
Qs
time
time
V
F
V
fr
V
F
I
F
September 1998 2 Rev 1.300
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