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参数资料
| 型号： | BYM36E/20133 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 2.9 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 383K |
| 代理商： | BYM36E/20133 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BYM36E/33133 | 2.9 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYM36E/40113 | 2.9 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BYM36EGP | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE：200V to 1000V CURRENT: 3.0A |
| BYM36E-TAP | 功能描述:整流器 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BYM36E-TR | 功能描述:整流器 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BYM36EZ | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:FAST RECOVERY RECTIFIERS |
| BYM36F | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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