- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录123 > BYR29X-800,127 (NXP Semiconductors)DIODE 800V TO-220F SOD113 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BYR29X-800,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 255K |
| 描述： | DIODE 800V TO-220F SOD113 |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.7V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 75ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 800V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 568-8342-5 BYR29X-800,127-ND |
                   1. Product profile 1.1 General description Ultrafast power diode in a SOD113 (2-lead TO-220F) plastic package. 1.2 Features and benefits ? Fast switching ? Isolated plastic package ? Low forward voltage drop ? Soft recovery characteristic 1.3 Applications ? Discontinuous Current Mode (DCM) Power Factor Correction (PFC) ? High frequency switched-mode power supplies 1.4 Quick reference data [1] Neglecting switching and reverse current losses BYR29X-800 Ultrafast power diode Rev. 01 — 12 July 2010 Product data sheet Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VRRM repetitive peak reverse voltage --800V IF(AV) average forward current square-wave pulse; δ =0.5; Th ≤ 73 °C; see Figure 1; see Figure 2; see Figure 3 [1] --8A IFSM non-repetitive peak forward current Tj(init) =25°C; tp = 10 ms; sine-wave pulse --60A Static characteristics VF forward voltage IF =8A; Tj =150°C; see Figure 5 - 1.07 1.5 V Dynamic characteristics trr reverse recovery time IF =1A; VR =30V; dIF/dt = 100 A/μs; Tj =25°C; see Figure 8; see Figure 7 - 6075ns |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BYR29X-800PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 整包 供应商器件封装:TO-220F 工作温度 - 结:175°C（最大） 标准包装:1,000 |
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