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参数资料
| 型号： | BYV29F-600,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | DIODE UFAST 600V 9A TO-220AC |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 9A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.9V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 568-9753-5 BYV29F-600,127-ND BYV29F-600127 |
                  1. Product profile 1.1 General description Enhanced ultrafast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package. 1.2 Features and benefits ∨ High thermal cycling performance ∨ Low on-state losses ∨ Low thermal resistance ∨ Soft recovery characteristic 1.3 Applications ∨ Dual Mode (DCM and CCM) PFC ∨ Power Factor Correction (PFC) for Interleaved Topology 1.4 Quick reference data BYV29F-600 Enhanced ultrafast power diode Rev. 02 — 7 March 2011 Product data sheet TO-220AC Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VRRM repetitive peak reverse voltage --600V IF(AV) average forward current square-wave pulse; δ =0.5; Tmb ≤ 115 °C; see Figure 1; see Figure 2 --9A Static characteristics VF forward voltage IF =8A; Tj =25°C; see Figure 5 - 1.45 1.9 V IF =8A; Tj =150°C; see Figure 5 - 1.25 1.7 V Dynamic characteristics trr reverse recovery time IF =1A; VR =30V; dIF/dt = 100 A/μs; Tj = 25 °C; see Figure 6 -17.535ns |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BYW80-200G | DIODE ULT FAST 200V 7A TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BYV29FB-600 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ULTRAFAST 9A 600V D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ULTRAFAST, 9A, 600V, D2PAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ULTRAFAST, 9A, 600V, D2PAK; Diode Type:Ultrafast Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Forward Current If(AV):9A; Forward Voltage VF Max:1.9V; Reverse Recovery Time trr Max:35ns ;RoHS Compliant: Yes |
| BYV29FB-600,118 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 PWR 600 V 9 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BYV29FD-600 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ULTRAFAST 9A 600V DPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ULTRAFAST, 9A, 600V, DPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ULTRAFAST, 9A, 600V, DPAK; Diode Type:Ultrafast Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Forward Current If(AV):9A; Forward Voltage VF Max:1.9V; Reverse Recovery Time trr Max:35ns ;RoHS Compliant: Yes |
| BYV29FD-600,118 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BYV29FG-600 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide |
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