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参数资料
| 型号： | BYV42G-200,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 148K |
| 描述： | DIODE RECT 200V 15A I2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 850mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 28ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | BYV42G-200127 |
1. Product profile
1.1 General description
Dual ultrafast power diode in a SOT226A (I2PAK) low-profile plastic package.
1.2 Features and benefits
∨
High reverse voltage surge capability
∨
High thermal cycling performance
∨
Low thermal resistance
∨
Soft recovery characteristic minimizes
power consuming oscillations
∨
Very low on-state loss
1.3 Applications
∨
Output rectifiers in high-frequency
switched-mode power supplies
1.4 Quick reference data
BYV42G-200
Dual ultrafast power diode
Rev. 01 — 11 January 2011 Product data sheet
I2PAK
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
repetitive peak reverse
voltage
--200V
IO(AV)
average output current
square-wave pulse; δ
=0.5;
Tmb
≤
104 °C; both diodes
conducting; see Figure 1;
see Figure 2
--30A
IFSM
non-repetitive peak
forward current
Tj(init)
=25°C; tp
=10ms;
sine-wave pulse; per diode
--160A
IRRM
repetitive peak reverse
tp
=2μs; δ
= 0.001 - - 0.2 A
current
VESD
electrostatic discharge
voltage
HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k?;
all pins
--8kV
Static characteristics
VF
forward voltage IF
=15A; Tj
=150°C;
see Figure 4
- 0.78 0.85 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV72EW-200,127 | DIODE FAST DUAL 30A 200V TO247 |
| BYV74W-400,127 | DIODE RECT 400V 30A SOT429 |
| BYW51-200G | DIODE ULT FAST 200V 8A TO-220AB |
| C-20-0403F | VFD CUSTOM DVD DISP 7MM |
| C-20-0503F | VFD CUSTOM DVD DISP 5.8MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BYV430J-600PQ | 功能描述:DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:480 |
| BYV430K-300PQ | 功能描述:DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 300V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:450 |
| BYV430W-300PQ | 功能描述:DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 300V 工作温度 - 结:175°C（最大） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:300 |
| BYV44 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual rectifier diodes ultrafast |
| BYV44-300 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual rectifier diodes ultrafast |
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