参数资料
| 型号： | BZA956A,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER QUAD 5.6V SOT665 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3V |
| 电压 - 击穿： | 5.32V |
| 功率（瓦特）： | 16W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-665 |
| 供应商设备封装： | SOT-665 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7016-6 |
NXP Semiconductors
Quadruple ESD transient voltage
suppressor
THERMAL CHARACTERISTICS
Product data sheet
BZA900A-series
SYMBOL
R th j-a
R th j-s
PARAMETER
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to solder
point; note 1
CONDITIONS
all diodes loaded
one diode loaded
all diodes loaded
VALUE
370
135
125
UNIT
K/W
K/W
K/W
Note
1. Solder point of common anode (pin 2).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
SYMBOL
V F
PARAMETER
forward voltage
I F = 200 mA
CONDITIONS
MAX.
1.3
V
UNIT
I R
reverse current
Table 1
BZA956A
BZA962A
BZA968A
Per type; BZ956A to BZA968A
V R = 3 V
V R = 4 V
V R = 4.3 V
1000
500
100
nA
nA
nA
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
TYPE
WORKING VOLTAGE
DIFFERENTIAL
TEMP.
DIODE CAP.
NON-REPETITIVE
V Z (V)
at I Z = 1 mA
RESISTANCE
r dif ( ? )
COEFF. C d (pF)
S Z (mV/K) at at f = 1 MHz;
PEAK REVERSE
CURRENT
at I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
V R = 0
I ZSM (A) at t p = 1 ms;
T amb = 25 × ° C
MIN.
TYP.
MAX.
MAX.
TYP.
MAX.
MAX.
BZA956A
BZA962A
BZA968A
5.32
5.89
6.46
5.6
6.2
6.8
5.88
6.51
7.14
400
300
200
0.3
1.6
2.2
125
105
90
2.2
2.1
2.0
2001 Sep 03
3
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