参数资料
| 型号： | BZA962A,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER QUAD 6.2V SOT665 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 4V |
| 电压 - 击穿： | 5.89V |
| 功率（瓦特）： | 15W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-665 |
| 供应商设备封装： | SOT-665 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7018-6 |
NXP Semiconductors
Quadruple ESD transient voltage
suppressor
FEATURES
PINNING
Product data sheet
BZA900A-series
? ESD rating >8 kV, according to IEC61000-4-2
? SOT665 surface mount package
? Common anode configuration.
APPLICATIONS
? Computers and peripherals
? Audio and video equipment
? Communication systems
DESCRIPTION
Monolithic transient voltage suppressor diode in a five lead
PIN
1
2
3
4
5
handbook, halfpage 5
DESCRIPTION
cathode 1
common anode
cathode 2
cathode 3
cathode 4
4
1
SOT665 package for 4-bit wide ESD transient
suppression.
3
4
2
MARKING
1
2
3
5
MGW315
TYPE NUMBER
BZA956A
MARKING CODE
Z1
BZA962A
BZA968A
Z2
Z3
Fig.1 Simplified outline (SOT665) and symbol.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
I Z
I F
working current
continuous forward current
T amb = 25 ° C
T amb = 25 ° C
?
?
note 1
200
mA
mA
I FSM
non-repetitive peak forward current t p = 1 ms; square pulse
?
4
A
P tot
total power dissipation
T amb = 25 ° C; note 2; see Fig.5
?
335
mW
P ZSM
non repetitive peak reverse power
dissipation:
square pulse; t p = 1 ms; see Fig.3
BZA956A
BZA962A
BZA968A
?
?
?
16
15
14
W
W
W
T stg
T j
storage temperature
junction temperature
? 65
?
+150
150
° C
° C
Notes
1. DC working current limited by P tot(max) .
2. Device mounted on standard printed-circuit board.
2001 Sep 03
2
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BZA962AVL115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD PROTECTION |
| BZA968A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS QUAD SOT-665 |
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