- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录167035 > BZT55C7V5GS08 (VISHAY TELEFUNKEN) 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BZT55C7V5GS08 |
| 厂商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | SOD-80, QUADROMELF-2 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | BZT55C7V5GS08 |
BZT55C...
Vishay Telefunken
Rev. 4, 12-Mar-01
1 (6)
www.vishay.com
Document Number 85601
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D Very sharp reverse characteristic
D Low reverse current level
D Very high stability
D Low noise
D Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
96 12009
Order Instruction
Type
Ordering Code
Remarks
BZT55C2V4
BZT55C2V4–GS08
Tape and Reel (2.500 pcs)
BZT55C2V4
BZT55C2V4–GS18
Tape and Reel (10.000 pcs)
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
RthJAx300K/W
PV
500
mW
Z–current
IZ
PV/VZ
mA
Junction temperature
Tj
175
°C
Storage temperature range
Tstg
–65...+175
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Junction ambient
on PC board 50 mmx50 mmx1.6 mm
RthJA
500
K/W
Electrical Characteristics
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
IF=200mA
VF
1.5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZT6.2 | surface mount silicon Zener diodes |
| BZT6.8 | surface mount silicon Zener diodes |
| BZT62 | surface mount silicon Zener diodes |
| BZT68 | surface mount silicon Zener diodes |
| BZT7.5 | surface mount silicon Zener diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZT55C7V5-GS08 | 功能描述:稳压二极管 7.5 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZT55C7V5-GS18 | 功能描述:稳压二极管 7.5 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZT55C8V2 | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZT55C8V2 L0G | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 |
| BZT55C8V2 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 8.2V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。