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参数资料
型号： BZV55-B51
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 51 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件页数： 2/7页
文件大小： 294K
代理商： BZV55-B51
BZV55 SERIES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
BZV55-y2V4
100
600
– 0.08
– 0.06
50
1
BZV55-y2V7
100
600
– 0.08
– 0.06
20
1
BZV55-y3V0
95
600
– 0.08
– 0.06
10
1
BZV55-y3V3
95
600
– 0.08
– 0.05
5
1
BZV55-y3V6
90
600
– 0.08
– 0.04
5
1
BZV55-y3V9
90
600
– 0.07
– 0.03
3
1
BZV55-y4V3
90
600
– 0.04
– 0.01
3
1
BZV55-y4V7
80
500
– 0.03
+0.01
3
2
BZV55-y5V1
60
480
– 0.02
+0.05
2
BZV55-y5V6
40
400
– 0.01
+0.06
1
2
BZV55-y6V2
10
150
0
+0.07
3
4
BZV55-y6V8
15
80
+0.01
+0.08
2
4
BZV55-y7V5
15
80
+0.01
+0.09
1
5
BZV55-y8V2
15
80
+0.01
+0.09
0.7
5
BZV55-y9V1
15
100
+0.02
+0.10
0.5
6
BZV55-y10
20
150
+0.03
+0.11
0.2
7
BZV55-y11
20
150
+0.03
+0.11
0.1
8
BZV55-y12
25
150
+0.03
+0.11
0.1
8
BZV55-y13
30
170
+0.03
+0.11
0.1
8
BZV55-y15
30
200
+0.03
+0.11
0.05
10
BZV55-y16
40
200
+0.03
+0.11
0.05
11
BZV55-y18
45
225
+0.03
+0.11
0.05
13
BZV55-y20
55
225
+0.03
+0.11
0.05
14
BZV55-y22
55
250
+0.03
+0.11
0.05
15
BZV55-y24
70
250
+0.04
+0.12
0.05
17
BZV55-y27
80(3)
300(4)
+0.04(3)
+0.12 (3)
0.05
19
BZV55-y30
80(3)
300(4)
+0.04(3)
+0.12 (3)
0.05
21
BZV55-y33
80(3)
325(4)
+0.04(3)
+0.12 (3)
0.05
23
BZV55-y36
90(3)
350(4)
+0.043)
+0.12 (3)
0.05
25
BZV55-y39
130(3)
350(4)
+0.04(3)
+0.12 (3)
0.05
27
BZV55-y43
150(3)
375(4)
+0.04(3)
+0.12 (3)
0.05
30
BZV55-y47
170(3)
375(4)
+0.04(3)
+0.12 (3)
0.05
33
BZV55-y51
180(3)
400(4)
+0.04(3)
+0.12 (3)
0.05
36
BZV55-y56
200(3)
425(4)
typ. +0.1(3)
0.05
39
BZV55-y62
215(3)
450(4)
typ. +0.1(3)
0.05
43
BZV55-y68
240(3)
475(4)
typ. +0.1(3)
0.05
48
BZV55-y75
255(3)
500(4)
typ. +0.1(3)
0.05
53
(1) Tested with pulses tp = 5 ms.
(2) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
(3) at IZ = 2.0 mA
(4) at IZ = 0.5 mA
y = Zener voltage tolerance designator
Type
y=B for ±2%Vz
y=F for ±3%Vz
y=C for ±5%Vz
Dynamic Resistance
at
IZ = 5 mA
IZ = 1 mA
f =1 kHz
rzj (
)
rzj (
)
max.
Temp. coefficient
of Zener Voltage
at
IZ = 5 mA
αVZ (%/K)
min.
max.
Reverse leakage
current
at Tamb = 25°C
at
I R (
A)
VR (V)
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BZV55B51 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 51V 2% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R
BZV55B51 L1G 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 38V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500
BZV55-B51 T/R 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZV55-B51,115 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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