型号: | BZV55-B68112 |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 68 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 210K |
代理商: | BZV55-B68112 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
BZV55-F47112 | 47 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZX55-C47116 | 47 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
BZX55-C30136 | 30 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
BZX79-A8V2116 | 8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
BZX79-A8V2136 | 8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BZV55B6V2 | 功能描述:稳压二极管 6.2 Volt 500mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
BZV55-B6V2 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage regulator diodes |
BZV55B6V2 L0G | 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 |
BZV55B6V2 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 6.2V 2% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R |
BZV55B6V2 L1G | 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 |