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参数资料
| 型号： | BZV55-C11 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 11 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | BZV55-C11 |
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BZV55 Series
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZV55-C2V4 | 2.4 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZV60-B47 | 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZV60-C51 | 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZV60-C7V5 | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZX55F27 | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZV55-C11 /T3 | 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-13 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZV55C11 L0G | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 |
| BZV55C11 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 11V 5% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R |
| BZV55C11 L1G | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 |
| BZV55-C11 T/R | 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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