- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录236592 > BZW03-C100/30112 (NXP SEMICONDUCTORS) 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BZW03-C100/30112 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | BZW03-C100/30112 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW03-C100/30113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C100/31113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C100/31133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C100/40133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C100/41133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZW03C100-TAP | 功能描述:稳压二极管 100 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZW03C100-TR | 功能描述:稳压二极管 100 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZW03C10-TAP | 功能描述:稳压二极管 10 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZW03C10-TR | 功能描述:稳压二极管 10 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZW03C11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。