参数资料
型号: BZW03-C13/33113
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
文件页数: 1/7页
文件大小: 213K
代理商: BZW03-C13/33113
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PDF描述
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参数描述
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BZW03C13-TR 功能描述:稳压二极管 13 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZW03C15 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Silicon Z朌iodes and Transient Voltage Suppressors
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BZW03C150 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors