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参数资料
| 型号： | BZW03-C75/30133 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | BZW03-C75/30133 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW03-C75/31113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C75/33133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C75/40133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C75/41112 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C75/50113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZW03C75-TAP | 功能描述:稳压二极管 75 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZW03C75-TR | 功能描述:稳压二极管 75 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZW03C7V5 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
| BZW03-C7V5 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage regulator diodes |
| BZW03C7V5-TAP | 功能描述:稳压二极管 7.5 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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