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参数资料
| 型号： | BZW04-58B |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(400W、用于过电压保护的TRANSIL二极管(双向)) |
| 中文描述： | TRANSIL二极管（400W，用于过电压保护的TRANSIL二极管（双向），高过电压保护） |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | BZW04-58B |
BZW04-5V8/376
BZW04-5V8B/376B
TRANSIL
TM
PEAK PULSE POWER : 400 W (10/1000
s)
STAND-OFF VOLTAGE RANGE :
From 5.8V to 376 V
UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES
LOW CLAMPING FACTOR
FAST RESPONSE TIME
UL RECOGNIZED
FEATURES
F126
Symbol
Parameter
Value
Unit
PPP
Peak pulse power dissipation (see note 1)
Tj initial = Tamb
400
W
P
Power dissipation on infinite heatsink
Tamb =75
°C
1.7
W
IFSM
Non repetitive surge peak forward current
for unidirectional types
tp = 10ms
Tj initial = Tamb
30
A
Tstg
Tj
Storage temperature range
Maximum junction temperature
- 65 to + 175
175
°C
TL
Maximum lead temperature for soldering during 10s a 5mm
from case.
230
°C
Note 1 : For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb =25
°C)
DESCRIPTION
Transil diodes provide high overvoltage protection
by clamping action. Their instantaneous response
to transient overvoltages makes them particularly
suited to protect voltage sensitive devices such
as MOS Technology and low voltage supplied
IC’s.
January 1998 Ed : 2
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-l)
Junction to leads
60
°C/W
Rth (j-a)
Junction to ambient on printed circuit.
Llead =10 mm
100
°C/W
THERMAL RESISTANCES
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW06-58B | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(600W、用于过电压保护的TRANSIL二极管(双向)) |
| BZW50-56B | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于过电压保护的TRANSIL二极管(双向)) |
| BZX55C10T50A | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| BZX55C10T50R | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| BZX55C10 | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZW04-58B A0G | 功能描述:TVS DIODE 92VC 4.3A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:BZW04 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:58.1V 电压 - 击穿（最小值）:64.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:92V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:3,000 |
| BZW04-58B B0G | 功能描述:TVS DIODE 92VC 4.3A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:BZW04 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:58.1V 电压 - 击穿（最小值）:64.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:92V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1,000 |
| BZW04-58B R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 58.1V 400W 2-Pin DO-41 T/R |
| BZW04-58B R0G | 功能描述:TVS DIODE 92VC 4.3A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:BZW04 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:58.1V 电压 - 击穿（最小值）:64.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:92V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:5,000 |
| BZW04-58B R1G | 功能描述:TVS DIODE 92VC 4.3A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:BZW04 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:58.1V 电压 - 击穿（最小值）:64.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:92V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:5,000 |
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