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参数资料
| 型号： | BZW04-78-E3/73 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 400W 78V 5% UNIDIR DO-204AL |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TransZorb® |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 78V |
| 电压 - 击穿： | 86.5V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-204AL（DO-41） |
| 包装： | 带盒（TB） |
BZW04-5V8 thru BZW04-376
www.vishay.com
ORDERING INFORMATION (Example)
Vishay General Semiconductor
PREFERRED P/N
BZW0410-E3/54
BZW0410HE3/54 (1)
UNIT WEIGHT (g)
0.350
0.350
PREFERRED PACKAGE CODE
54
54
BASE QUANTITY
550
550
DELIVERY MODE
13" diameter paper tape and reel
13" diameter paper tape and reel
Note
(1) AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (T A = 25 °C unless otherwise noted)
100
Non-Repetitive Pulse
Waveform shown in Fig. 3
T A = 25 °C
10 000
T J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V sig = 50 mVp-p
10
1
0.1
1000
100
10
Measured at Stand-Off
Voltage V WM
Measured at
Zero Bias
0.1
1
10
100
1000
10 000
1
10
100
1000
100
75
50
25
0
t d - Pulse Width (μs)
Fig. 1 - Peak Pulse Power Rating Curve
100
75
50
25
0
V BR - Breakdown Voltage (V)
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance
60 Hz
Resistive or
Inductive Load
L = 0.375" (9.5 mm)
Lead Lengths
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T J - Initial Temperature (°C)
Fig. 2 - Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature
T L - Lead Temperature (°C)
Fig. 5 - Power Derating Curve
150
t r = 10 μs
Peak Value
I PPM
T J = 25 °C
Pulse Width (t d )
is defined as the Point
where the Peak Current
Decays to 50 % of I PPM
100
T J = T J Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
100
Half Value - I PP
50
I PPM
2
10/1000 μs Waveform
as defined by R.E.A.
t d
0
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1
10
100
t - Time (ms)
Fig. 3 - Pulse Waveform
Number of Cycles at 60 Hz
Fig. 6 - Max. Non-Repetitive Forward Surge Current
Uni-Directional Only
Revision: 02-Dec-13
4
Document Number: 88316
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6-103326-0 | 20 MODII HDR DRRA B/A .100CL |
| 26633001RP2 | CONN HDR 2MM MALE 1ROW STR 30POS |
| SSQ-143-02-S-D-RA | CONN RCPT .100" 86PS DL R/A GOLD |
| SSQ-142-03-G-D-RA | CONN RCPT .100" 84PS DL R/A GOLD |
| TMM-134-01-T-S | CONN HEADER 34POS SNGL 2MM T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZW04-78HA0G | 功能描述:TVS DIODE 125VC 3.2A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101，BZW04 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:78V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.2A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:3,000 |
| BZW04-78HB0G | 功能描述:TVS DIODE 125VC 3.2A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101，BZW04 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:78V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.2A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1,000 |
| BZW04-78HE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 78V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| BZW04-78HE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 78V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| BZW04-78HR0G | 功能描述:TVS DIODE 125VC 3.2A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101，BZW04 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:78V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.2A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:5,000 |
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