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参数资料
| 型号： | BZW04P7V8 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | BZW04P7V8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW04P9V4RL | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW04P239B | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW06P128RL | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZX284-C7V5135 | 7.5 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZX284-B3V0135 | 3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZW04P85/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 85V 7% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| BZW04P85/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| BZW04P85-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| BZW04P85-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| BZW04P85-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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