型号: | BZX55-C47116 |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 47 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 172K |
代理商: | BZX55-C47116 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BZX55-C30136 | 30 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
BZX79-A8V2116 | 8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
BZX79-A8V2136 | 8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
BZX79-B30153 | 30 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
BZX79-B24116 | 24 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BZX55C47-TAP | 功能描述:稳压二极管 47 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
BZX55C47-TR | 功能描述:稳压二极管 47 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
BZX55C4V3 | 功能描述:稳压二极管 4.3 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
BZX55-C4V3 | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:500mW Zener Diode |
BZX55C4V3 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |