C3M0120100K

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说明
操作

C3M0120100K
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
1800
CREE
TO247-4
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

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功能描述
MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
制造商
cree/wolfspeed
系列
C3M?
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
21.5nC @ 15V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
350pF @ 600V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
155 毫欧 @ 15A，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4
标准包装
30

C3M0120100K 技术参数

C3M0120100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK-7 封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 标准包装:50 C3M0120090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:1 C3M0120090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 C3M0120090D 功能描述:900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:97W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C3M0075120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30.8A TO247-4 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:119W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 20A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-4L 封装/外壳:TO-247-4 标准包装:30 C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G C3PES-2618M C3PES-2636G C3PES-2636M