C3M0280090D

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

C3M0280090D
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
WOLFSPEED
con
24+
-
电子元件

C3M0280090D
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
WOLFSPEED
con
24+
-
电子元件

C3M0280090D
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

C3M0280090D
深圳市高创鑫电子科技有限公司
深圳市高创鑫电子科技有限公司
联系人：曾小姐
电话：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间
资质：营业执照
10
Wolfspeed
N-CHAN SIC MOSFET 90
21+
-
原装正品，假1罚100

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 900V 11.5A
制造商
cree/wolfspeed
系列
C3M?
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源极电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
360 毫欧 @ 7.5A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
9.5nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
150pF @ 600V
功率 - 最大值
54W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
标准包装
30

C3M0280090D 技术参数

C3M0120100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-4L 封装/外壳:TO-247-4 标准包装:30 C3M0120100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK-7 封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 标准包装:50 C3M0120090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:1 C3M0120090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 C3M0120090D 功能描述:900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:97W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G C3PES-2618M C3PES-2636G C3PES-2636M C3PES-3406G