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CEDM7004 BK

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封装
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价格
说明
操作

CEDM7004 BK
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Central Semiconductor Cor
SOT-883
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
散装
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.78A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.79nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
43pF @ 25V
功率 - 最大值
100mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-101，SOT-883
供应商器件封装
SOT-883
标准包装
8,000

CEDM7004 BK 技术参数

CEDM7002AE TR 功能描述:MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883L 标准包装:1 CEDM7001VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883VL 标准包装:1 CEDM7001 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:1 CEDM7001 BK 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:5,000 CECS065V0-G 功能描述:TVS DIODE 5VWM SOT23-6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:- 双向通道:5 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.1A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 CEDS055V0-G CEE0.6100.151 CEE2X34PF-102FELF CEE2X60PF102PY4 CEE2X60PF102PY4LF CEE2X66PF102FELF CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C