CEDM8001VL TR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CEDM8001VL TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CEDM8001VL TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
35050
CENTRAL S
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共9条
1

您是不是要找： CEDM8004 BK CEDM8004 TR CEDM8004VL TR CEDS0524V-G CEDS055V0-G CEE0.6100.151 CEE2X34PF-102FELF CEE2X60PF102PY4 CEE2X60PF102PY4LF

CEDM8001VL TR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CEDM8001VL TR PDF下载

功能描述
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.66nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
45pF @ 3V
功率 - 最大值
100mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-101，SOT-883
供应商器件封装
SOT-883VL
标准包装
1

CEDM8001VL TR 技术参数

CEDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:1 CEDM8001 BK 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:5,000 CEDM7004VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883VL 标准包装:1 CEDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.78A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:1 CEDM7004 BK 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.78A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:8,000 CEE2X66PF102FELF CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G CEFA104-G CEFA105-G