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CIG21W1R5MNE

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    CIG21W1R5MNE

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 标准封装

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • SAMSUNG

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

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    资质:营业执照

  • 399800

  • SAMSUNG

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  • 制造商
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 1.5UH 0.96A 0805
  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 功能描述
  • CIG Series 2012 2.2 uH 20 % 0.96 A SMD Shielded Power Inductor
CIG21W1R5MNE 技术参数
  • CIG21W1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.05A 133 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:1μH 容差:±25% 额定电流:1.05A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):133 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG21LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):80 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG21L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 260 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:750mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):260 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG21L3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 220 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):220 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG21L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 950mA 160 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:950mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):160 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG22B3R3MAE CIG22B3R3MNE CIG22B4R7MAE CIG22B4R7MNE CIG22BR27MNE CIG22BR33MNE CIG22BR47MAE CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE CIG22E1R0MAE CIG22E1R0MNE CIG22E1R0SNE CIG22E1R5MNE CIG22E2R2MNE CIG22E3R3MNE CIG22E4R7MNE CIG22ER47MNE
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