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CIG22H4R7MNE
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
25000
SAM
13+
-
公司现货!只做原装!

CIG22H4R7MNE
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Samsung Electro-Mechanics
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

CIG22H4R7MNE
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
1858
SAMSUNG
2520
14+
-
原装现货/特价

CIG22H4R7MNE
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
153
Samsung Electro-Mechanics
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

CIG22H4R7MNE
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
379800
SAMSUNG
SMD
15+Rohs
-
一级质量保证长期稳定提供货优价美

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CIG22H4R7MN 技术参数

CIG22H3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1A 133 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:133 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:2,500 CIG22H3R3MAE 功能描述:FIXED IND 3.3UH 1.1A 138 MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG22H_MAE 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:138 毫欧不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）供应商器件封装:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:3,000 CIG22H2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 116 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:116 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22H2R2MAE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 138 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H_MAE 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:138 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22H1R5MNE 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 104 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:104 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L3R3MNE CIG22L4R7MNE CIG22L6R8MNE CIG22LR47MNE CIG32H2R2MNE CIG32W1R0MNE CIGT160806UM1R0MNC CIGT160808XMR24MNC CIGT1608R6EH1R0MNC CIGT201206EH1R0MNE CIGT201206UM1R0MNE CIGT201208EH1R0MNE CIGT201208EH2R2MNE CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE

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