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CIG22K3R3SCE

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    CIG22K3R3SCE

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 12500

  • SAMSUNG

  • 2520-3.3UH

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  • -
  • 原厂原装正品现货

  • CIG22K3R3SCE
    CIG22K3R3SCE

    CIG22K3R3SCE

  • 聚芯优品(深圳)控股集团有限公司
    聚芯优品(深圳)控股集团有限公司

    联系人:邓生

    电话:1330244183018823807848

    地址:深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

    资质:营业执照

  • 469

  • SAMSUNG

  • WQFN16

  • 22+

  • -
  • 现货分销 自有库存 正品保障 假一罚十

  • CIG22K3R3SCE
    CIG22K3R3SCE

    CIG22K3R3SCE

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4386

  • SAMSUNG

  • 2520-3.3UH

  • 2203+

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CIG22K3R3SCE 技术参数
  • CIG22HR56MAE 功能描述:FIXED IND 560NH 2A 55 MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG22H_MAE 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:560nH 容差:±20% 额定电流:2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):55 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 供应商器件封装:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:3,000 CIG22HR47MAE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 2.1A 44 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H_MAE 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:3.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):44 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG22HR33MAE 功能描述:FIXED IND 330NH 2.2A 44 MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG22H_MAE 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:330nH 容差:±20% 额定电流:2.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):44 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 供应商器件封装:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:3,000 CIG22H4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 233 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:950mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):233 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 CIG22H3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1A 133 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):133 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:2,500 CIG32H2R2MNE CIG32W1R0MNE CIGT160806UM1R0MNC CIGT160808XMR24MNC CIGT1608R6EH1R0MNC CIGT201206EH1R0MNE CIGT201206UM1R0MNE CIGT201208EH1R0MNE CIGT201208EH2R2MNE CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE
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