您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > C字母型号搜索 > C字母第3593页 >

CMLDM8120 TR

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 41690

  • Centralsemi

  • SOT-563

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Central Semiconductor Cor

  • SOT-563

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 15000

  • CENTRAL S

  • 带卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 2996

  • Central Semiconductor Cor

  • SOT-563,SOT-666

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Centralsemi

  • SOT-563

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号.原装正品现货!

  • CMLDM8120 TR
    CMLDM8120 TR

    CMLDM8120 TR

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • 1/1页 40条/页 共13条 
  • 1
CMLDM8120 TR PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 860mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 150 毫欧 @ 950mA,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 3.56nC(4.5V)
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 200pF @ 16V
  • 功率 - 最大值
  • 350mW
  • 工作温度
  • -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装
  • SOT-563
  • 标准包装
  • 1
CMLDM8120 TR 技术参数
  • CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):650mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 350mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):280mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):650mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):230 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7484 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):450mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):460 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7120G TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):220pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLHPB11-1RLS4-52-125.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200
配单专家

在采购CMLDM8120 TR进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买CMLDM8120 TR产品风险,建议您在购买CMLDM8120 TR相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的CMLDM8120 TR信息由会员自行提供,CMLDM8120 TR内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号