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CMPDM3590TR

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  • CMPDM3590TR
    CMPDM3590TR

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 24000

  • Central

  • SOT-23

  • 22+

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  • CMPDM3590TR
    CMPDM3590TR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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  • 865000

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  • SOT-23

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  • CMPDM3590TR
    CMPDM3590TR

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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

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    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 18000

  • Central

  • SOT-23

  • 1305+

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CMPDM3590TR 技术参数
  • CMPDM303NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 1.8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 供应商器件封装:SOT-23F 标准包装:1 CMPDM302PH TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):91 毫欧 @ 1.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 供应商器件封装:SOT-23F 标准包装:1 CMPDM203NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 1.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):395pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 供应商器件封装:SOT-23F 标准包装:1 CMPDM202PH TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):88 毫欧 @ 1.2A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 供应商器件封装:SOT-23F 标准包装:1 CMPD914E TR 功能描述:Diode Standard 75V 250mA Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):970mV @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 CMPFJ175 TR CMPFJ176 TR CMPH1 CMPH1C CMPH1W CMPH2 CMPH2C CMPH2W CMPHF1 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR
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