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CMPDM7120GTRPB-FREE

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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
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    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 8660

  • Central Semi

  • SOT23

  • 1651+

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  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

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CMPDM7120GTRPB-FREE 技术参数
  • CMPDM7003 TR 功能描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):280mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPDM7002AHC TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):240pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPDM7002AG TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):280mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPDM7002AG BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):280mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,500 CMPDM303NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 1.8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 供应商器件封装:SOT-23F 标准包装:1 CMPH1W CMPH2 CMPH2C CMPH2W CMPHF1 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR CMPSH05-4C TR CMPSH1-4 BK CMPSH1-4 TR CMPSH-3 BK
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