CPC3714CTR

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批号
价格
说明
操作

CPC3714CTR
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
Littelfuse
SOT-89
20+
-
瑞智芯只做原装

CPC3714CTR
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
1000
Littelfuse
SOT-89
21
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
固态继电器-PCB安装 N Channel Depletion Mode FET, T/R, 250V SOT-89
RoHS
否
制造商
Omron Electronics
控制电压范围
负载电压额定值
40 V
负载电流额定值
120 mA
触点形式
1 Form A (SPST-NO)
输出设备
MOSFET
封装 / 箱体
USOP-4
安装风格
SMD/SMT

CPC3714CTR 技术参数

CPC3714C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:200 CPC3710CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 CPC3710C 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:200 CPC3708ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 CPC3708CTR 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 CPC40055ST CPC44055ST CPC5001G CPC5001GS CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR CPC5610A CPC5610ATR CPC5611A