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CPH3423-TL-E

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    CPH3423-TL-E

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • SOT23

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • CPH3423-TL-E
    CPH3423-TL-E

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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  • 865000

  • TOSHIBA

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

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  • 1936

  • SANYO

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  • 百分百进口原装现货,价格有优势。

  • CPH3423-TL-E
    CPH3423-TL-E

    CPH3423-TL-E

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

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  • 69880

  • TY/台灣半導体

  • SOT23-3

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  • CPH3423-TL-E
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  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
    深圳市荣泽信电子科技有限公司

    联系人:荣泽信-晏S

    电话:18028731859

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  • 10000

  • SANYO

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  • 全新原装真实现货库存,价格优势,值得查询

  • CPH3423-TL-E
    CPH3423-TL-E

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  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

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    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

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  • Son/SANYO

  • N/A

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  • 原装正品 专业BOM配单

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CPH3423-TL-E 技术参数
  • CPH3362-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):700mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 欧姆 @ 700mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):142pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3360-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):303 毫欧 @ 800mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3360-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):303 毫欧 @ 800mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3356-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):137 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3356-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):137 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X CPH38W23MARARK9X CPH3910-TL-E CPH47W23FGE3SK9X CPH47W23FGE3SN9X CPH47W23MARASK9X CPH47W23MARCSK9X CPH5504-TL-E CPH5505-TL-E CPH5506-TL-E CPH5512-TL-E CPH5517-TL-E
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