CPH3448-W

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CPH3448-W
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
8000
ON/安森美
SMD
23+
-
原厂原装正品现货

CPH3448-W
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3770
ON/安森美
SMD
2224+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

CPH3448-W-TL
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3152
ON
SOT-23
2228+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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您是不是要找： CPH3455-TL-H CPH3455-TL-W CPH3456-TL-H CPH3456-TL-W CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W

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CPH3448-W 技术参数

CPH3448-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3448-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3442-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 3A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.1nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1295pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3430-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.2nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:630 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:240pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X CPH38W23MARARK9X CPH3910-TL-E CPH47W23FGE3SK9X CPH47W23FGE3SN9X CPH47W23MARASK9X CPH47W23MARCSK9X CPH5504-TL-E CPH5505-TL-E CPH5506-TL-E CPH5512-TL-E CPH5517-TL-E CPH5518-TL-E CPH5518-TL-H CPH5520-TL-E CPH5524-TL-E CPH5541-TL-E