CSD16340Q3T全国供应商 CSD16340Q3T资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD16340Q3T
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8
刚到货
-
代理可含税开票

CSD16340Q3T
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
38320
TI/德州仪器
VSON8
23+
-
原厂原装正品现货

CSD16340Q3T
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
3800
TI/德州仪器
VSON8
21+
-
只做原装，真实库存，价格优势。

CSD16340Q3T
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
TI
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

CSD16340Q3T
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
68500
TI/德州仪器
VSON8
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

CSD16340Q3T
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
36500
TI/德州仪器
VSON8
2020+
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

CSD16340Q3T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(DQG)
21
-
瑞智芯只有原装

CSD16340Q3T
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3563
TI/华雄半导体
VSON-CLIP-
2219+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

CSD16340Q3T
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
6600
TI
VSON8
18+
-
原装进口现货，价格优惠

CSD16340Q3T
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
10000
TI/德州仪器
VSON8
21+
-
原装正品一路到底

CSD16340Q3T
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
10000
TI/德州仪器
VSON8
22+
-
深圳现货

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
9.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
+10V，-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1350pF @ 12.5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.5 毫欧 @ 20A，8V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerTDFN
标准包装
1

CSD16340Q3T 技术参数

CSD16340Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD16327Q3T 功能描述:CSD16327Q3T 制造商:texas instruments 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 CSD16327Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 24A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD16325Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 30A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-SON-EP（5x6）标准包装:1 CSD16325Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 30A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD16408Q5 CSD16408Q5C CSD16409Q3 CSD16410Q5A CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A