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CSD16401Q5T
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
8435
TI/德州仪器
NA
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-
可订货，请确认

CSD16401Q5T
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
321297
TI
con
24+
-

CSD16401Q5T
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
321297
TI
con
24+
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CSD16401Q5T
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
321297
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD16401Q5T
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
321297
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD16401Q5T
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
321297
TI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

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CSD16401Q5T 技术参数

CSD16401Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD163CEVM-591 功能描述:TPS40304 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:有效主要用途:DC/DC，步降输出和类型:1，非隔离功率 - 输出:- 电压 - 输出:1.2V 电流 - 输出:25A 电压 - 输入:8 V ~ 14 V 稳压器拓扑:降压频率 - 开关:600kHz 板类型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:TPS40304 标准包装:1 CSD16342Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD16340Q3T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:+10V，-8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，8V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD16340Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T

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