您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > C字母型号搜索 >

CSD17302Q5A/BKN

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " CSD17302Q5A/BKN " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
CSD17302Q5A/BKN PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
CSD17302Q5A/BKN 技术参数
  • CSD17302Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta),87A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.9 毫欧 @ 14A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17301Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 25A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.55V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3480pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD16570Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.59 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14000pF @ 12V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD16570Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):250nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):14000pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),195W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.59 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD16556Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.07 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):47nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6180pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17311Q5 CSD17312Q5 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T CSD17318Q2 CSD17318Q2T CSD17322Q5A CSD17327Q5A CSD17381F4 CSD17381F4T CSD17382F4 CSD17382F4T CSD17483F4 CSD17483F4T CSD17484F4 CSD17484F4T
配单专家

在采购CSD17302Q5A/BKN进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买CSD17302Q5A/BKN产品风险,建议您在购买CSD17302Q5A/BKN相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的CSD17302Q5A/BKN信息由会员自行提供,CSD17302Q5A/BKN内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号