CSD17573Q5BT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD17573Q5BT
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
321266
TI
con
24+
-

CSD17573Q5BT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
321266
TI
con
24+
-

CSD17573Q5BT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
321266
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD17573Q5BT
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
321266
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD17573Q5BT
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
321266
TI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

CSD17573Q5BT
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
64nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9000pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），195W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1 毫欧 @ 35A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
标准包装
1

CSD17573Q5BT 技术参数

CSD17573Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17571Q2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:468pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-SON（2x2）标准包装:1 CSD17570Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.69 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:121nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17559Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.15 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9200pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17556Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.65V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7020pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD17578Q3AT CSD17578Q5A CSD17578Q5AT CSD17579Q3A CSD17579Q3AT CSD17579Q5A CSD17579Q5AT CSD17581Q3A CSD17581Q3AT CSD17581Q5A CSD17581Q5AT CSD17585F5 CSD17585F5T CSD18501Q5A CSD18502KCS CSD18502Q5B CSD18502Q5BT CSD18503KCS