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CSD18514Q5A
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
34027
TI(德州仪器)
22+
-
原装原厂现货

CSD18514Q5A
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TI
VSONP8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CSD18514Q5A
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
321218
TI
con
24+
-

CSD18514Q5A
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
321218
TI
con
24+
-

CSD18514Q5A
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
321218
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD18514Q5A
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
321218
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD18514Q5A
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
321218
TI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

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功能描述
40V N CH MOSFET
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
89A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
40nC @ 20V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
74W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
7.9 毫欧 @ 15A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
标准包装
1

CSD18514Q5A 技术参数

CSD18513Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4280pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 19A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-VSONP（5x6）封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18512Q5B 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:211A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7120pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:139W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-VSON-CLIP（5x6）封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18511Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:159A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:63nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:104W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 24A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-VSONP（5x6）封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18511KTTT 功能描述:40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110A（Ta），194A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5940pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:188W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 标准包装:1 CSD18510Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:156W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.96 毫欧 @ 32A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-VSON-CLIP（5x6）封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T

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