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CSD19532KTTT

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CSD19532KTTT
    CSD19532KTTT

    CSD19532KTTT

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生 13360533550

    电话:0755-83289799

    地址:深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层 香港新界葵兴葵康大厦6楼

    资质:营业执照

  • 29166

  • 22+

  • -
  • 原装原厂现货

  • CSD19532KTTT
    CSD19532KTTT

    CSD19532KTTT

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Texas Instruments

  • DDPAK/TO-263-3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • CSD19532KTTT
    CSD19532KTTT

    CSD19532KTTT

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 10000

  • TI

  • NA

  • 23+

  • -
  • MOSFET

  • CSD19532KTTT
    CSD19532KTTT

    CSD19532KTTT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CSD19532KTTT
    CSD19532KTTT

    CSD19532KTTT

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • TI(德州仪器)

  • TO-263-3

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • CSD19532KTTT
    CSD19532KTTT

    CSD19532KTTT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 0

  • Ti

  • DDPAK/TO-263 (KTT)

  • 21

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD19532KTTT
    CSD19532KTTT

    CSD19532KTTT

  • 深圳市华思半导体技术有限公司
    深圳市华思半导体技术有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-8329998313662227781

    地址:华强北路华强广场B座27K

    资质:营业执照

  • 18000

  • TI

  • 原厂封装

  • 23+

  • -
  • 全新原装现货,特价支持

  • 1/1页 40条/页 共7条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V TO-263-3
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 200A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 5.6 毫欧 @ 90A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 57nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 5060pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 250W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装
  • DDPAK/TO-263-3
  • 标准包装
  • 1
CSD19532KTTT 技术参数
  • CSD19532KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5060pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 标准包装:1 CSD19531Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.4 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD19531Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.4 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD19531KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.7 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3870pF @ 50V 功率 - 最大值:214W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD19506KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):156nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12200pF @ 40V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T CSD19538Q3A CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS
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