CSD19537Q3T全国供应商 CSD19537Q3T资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD19537Q3T
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
25500
TI
VSON8
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

CSD19537Q3T
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
200
TI
NA
23+
-
MOSFET

CSD19537Q3T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD19537Q3T
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CSD19537Q3T
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8
刚到货
-
代理可含税开票

CSD19537Q3T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
29278
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD19537Q3T
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
277
TI
QFN
1714+
-
原装有接受价格实单可谈

CSD19537Q3T
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Texas Instruments
8-VSON
17+
-
全新原装现货

CSD19537Q3T
深圳市荣泽信电子科技有限公司
深圳市荣泽信电子科技有限公司
联系人：荣泽信－晏S
电话：18028731859
地址：华富村东区417室
5000
TI
(DQG) | 8
22+
-
全新原装正品现货

CSD19537Q3T
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
7600
TI
QFN
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ:16...

CSD19537Q3T
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TI
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CSD19537Q3T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(DQG)
21
-
瑞智芯只有原装

CSD19537Q3T
深圳市宏浩通电子科技有限公司
深圳市宏浩通电子科技有限公司
联系人：王利娟
电话：13823141664
地址：华强北街道上步工业区305栋3楼B08
12000
TI
N/A
21+
-
原装正品假一赔十

CSD19537Q3T
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
21+
400
LQFP176
-
进口原装现货支持实单价优

CSD19537Q3T
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
TI
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

CSD19537Q3T
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
6000
TI/德州仪器
(DQG)|8
22+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

CSD19537Q3T
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
1351
TI(德州仪器)
22+
-
全新原装现货

CSD19537Q3T
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
TI
22+
-
原装正品

CSD19537Q3T
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
250
TI
ORIGONAL
16+
-
0.67024 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
14.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1680pF @ 50V
功率 - 最大值
2.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）
标准包装
1

CSD19537Q3T 技术参数

CSD19537Q3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD19536KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 标准包装:1 CSD19536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 标准包装:1 CSD19536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD19535KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 标准包装:1 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T